%0 Journal Article
%T 半导体中杂质的自电离态的理论
%A 甘子钊
%A 韩汝琦
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 本文的第一部份,发展了一个描述半导体中杂质自电离态的形式理论,它是类似于原子自电离态的组态相互作用模型.从这个理论得到了杂质自电离态的能级位置、能级宽度和波函数的表达式,并说明了在连续吸收谱上,杂质自电离态表现为一个非对称的Fano型的峰. 本文的第二部份发展了一种计算半导体中杂质自电离态的具体方法,称做复坐标方法.作为一个例子,计算了硅中具有Γ_7对称性的受主自电离态的能级和宽度.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A6AFA35468E423C30B06246C7C44FA95&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=0B39A22176CE99FB&sid=03F1579EF92A5A32&eid=8477411EEDB08A86&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0