%0 Journal Article
%T 关于“P~+注入硅损伤层的椭圆偏振术研究”一文的讨论
%A 莫党
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X <正> 贵刊第2卷第2期刊登了钱佑华等的论文“P~(+)注入硅损伤层的椭圆偏振术研究”.这工作及近年来我国的一些工作,采用椭圆偏振术对离子注入进行了研究.这些研究中,对实验结果的解释和分析,出现不同的看法和模型.我在这里对1]文提出一些讨论意见,希望有助于工作的深入.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=640E2DBEE5B23E01A2B9EA2E6B7EA86C&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=E203FB1A272C9DD2&eid=35FC3610259C2B32&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0