%0 Journal Article
%T 硅中离子注入层光学常数的振荡分布
%A 钱佑华
%A 陈良尧
%A 张继昌
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X <正> 椭圆偏光法结合阳极氧化剥层技术,测量得到磷注入硅临界剂量附近样品表层的表观光学常数n|~=n-ik,出现一个振荡型的深度分布.在关于离子注入层无序分布的公认结论的基础上,建立了k(x),n(x)同无序度分布D(x)之间的经验关系式,从而从定量上解释了n|~(x)的振荡.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C4970F967F9C35078EA5B5E7A303D948&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=228A710F49B6CE58&eid=9C65ADEB5990B252&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0