%0 Journal Article
%T 四毫米GaAs肖特基势垒二极管及混频器
%A 混频器研制组
%J 半导体学报
%D 1980
%I 
%X 考虑GaAs肖特基势垒比Si高,并且器件在一定正偏压下工作,所以参数的设计需在一定的正偏压下进行,修正了零偏压下的设计误差. 外延材料是掺硫汽相外延,浓度为2×10~(17)cm~(-3),厚度约为0.5μm.衬底材料浓度为2 ×10~(13)cm~(-3),结直径约 2—2.5μm.势垒金属 Ni采用电镀方法形成,使覆盖电容最小,工艺简单.对电镀层的沾污进行了分析和改进.势垒结工作寿命为1000小时. 二极管和混频器结合成一整体设计.研制了蜂窝触须结构混频器.设计了专门的装管、触须腐蚀微动装置,使触须具有一定压力并有较好的机械可靠性,能承受一定的冲击力.为了测试噪声系数,研制了四毫米噪声源,热噪声标准.混频管最佳变频损耗Lmin=4.7dB.在变频损耗L=6.5dB下,测试中放频率100—300MHz,混频器噪声系数的典型测试值N_F=10.7dB(单边带包括中放N_(IF)=2dB).
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=66363CA818CA91EA3E33C14C2C78B08E&yid=E56875464B1C0EC1&vid=CA4FD0336C81A37A&iid=38B194292C032A66&sid=D9AE183D3F5C3C75&eid=28F9D9CF04F424FF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0