%0 Journal Article
%T 椭圆偏光法研究砷离子注入硅的损伤和退火
%A 莫党
%A 卢因诚
%A 李旦晖
%A 刘尚合
%A 卢武星
%J 半导体学报
%D 1980
%I 
%X 我们用椭圆偏光法研究了As~+注入Si的损伤和退火效应.逐层测定结果表明,对150keV、10~(16)/cm~2的As~+注入,已形成非晶质层,折射率沿深度的分布图呈近似平台式.退火实验结果表明,600-700℃间有转变点,在高于此点的温度下退火,辐射损伤得到很大消除,并且表明辐射损伤比杂质砷对硅拆射率的影响大得多.高温退火后,椭圆偏振光测量结果出现一些新现象.还与背散射测量及电学测量进行了对比.本工作表明,椭圆偏光法亦是测定和研究离子注入引起的损伤的有用工具.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=EA5771CB692BA429AADDEDF00B8C32AE&yid=E56875464B1C0EC1&vid=CA4FD0336C81A37A&iid=38B194292C032A66&sid=FEF02B4635FE8227&eid=38685BC770C663F2&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0