%0 Journal Article
%T 0.275μm nMOST''s中陷阱辅助隧穿电流对漏端LDD区DCIV谱峰的影响(英文)
%A 刘东明
%A 杨国勇
%A 王金延
%A 许铭真
%A 谭长华
%J 半导体学报
%D 2003
%I 
%X 应用 direct- currentcurrent voltage(DCIV)和电荷泵 (change pum ping)技术研究了 L DD n MOST’s在热电子应力下产生的界面陷阱 .测试和分析的结果显示 ,一股额外的漏端电流影响了 DCIV谱峰中表征漏区的 D峰 .这股电流主要是陷阱辅助隧穿电流 .
%K direct-currentcurrentvoltage(DCIV)
%K 热电子
%K 可能性
%K 陷阱辅助隧穿电流
%K 电荷泵(CP)
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A78AA314585E7B34&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=B91E8C6D6FE990DB&iid=0B39A22176CE99FB&sid=B62E0EEFE746E568&eid=6FBD78E3BAB60869&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=10