%0 Journal Article
%T Degradation Induced by Channel Hot-Carriers Effect in SOI NMOSFET''''s<br>SOINMOSFET沟道热载流子的应力损伤
%A HAO Yue
%A ZHU Jian-gang
%A GUO Lin
%A ZHANG Zheng-fan
%A <br>郝跃
%A 朱建纲
%A 郭林
%A 张正幡
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 研究了沟道热载流子应力所引起的SOI NMOSFET的损伤，发现在中栅压应力（Vg≈Vd/2）和高栅压应力（Vg≈Vd）条件下，器件损伤表面出单一的幂律规律；而在低栅压应力（Vgs≈Vth)下，多特性的退化规律便会表现出来。同时，应力漏电压的升高、应力时间的延续都会导致退化特性的改变。这使预测SOI器件的寿命变得非常困难。
%K SIMOX
%K SOI
%K PBT
%K hot-carriers
%K threshold-voltage<br>SOI
%K 热载流子
%K 阈值电压
%K NMOSFET
%K 应力损伤
%K 场效应晶体管
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CA81F2E3431918F7&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=E158A972A605785F&sid=8C8D895E58E44DBB&eid=D397660E39E3E461&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=9