%0 Journal Article
%T P型LEC-GaAs中双重受主态的研究
%A 江德生
%A 宋春英
%A 何宏家
%A 许振嘉
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 在富镓的未掺杂P型LEC-GaAs锭条的头部和尾部样品中,低温下(T≤40K)在低频区和高频区分别观察到两组红外吸收峰.在原生长的 LEC-GaAs 中所观察到的高频区红外吸收,经鉴定与在掺硅或中子辐照处理过的LEC-GaAs中所观测到的、电离能为200meV的受主吸收是一致的.除了从基态到2p_(5/2)(Γ_3)和2p_(5/2)(Γ_7)激发态电子跃迁所相应的吸收外,还观察到了可能与从基态到3p_(3/2)态跃迁相应的吸收峰.4K的光致发光光谱和变温霍尔测量,进一步证实了在未掺杂P型LEC-GaAs锭条中,从头部到尾部都存在电离能为78meV和200meV的双重受主,其浓度沿晶体生长方向(从头到尾)增大.实验结果进一步支持了双重受主是Ga_(As)反位缺陷所产生的看法.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C5D18BD321C4AAB8&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=38B194292C032A66&sid=E2B9962CCD971A0D&eid=211C7E02AC474301&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0