%0 Journal Article
%T XPS研究氧在GaAs(111)面的吸附
%A 丁训民
%A 杨曙
%A 董国胜
%A 王迅
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X 用探测在MgK_α和 AlK_α X光源激发下掠角发射的As 2p、GaZP、Ca3d和Ols光电子的办法,提高了XPS表面分析的灵敏度,从而研究了 GaAs(111)面在吸附氧过程中表面 Ga、As和O的变化情形.发现吸附一开始时氧同表面Ga原子成键,随后氧再同As原子成键.吸附引起As2p强度的减弱,而没有看到有Ga减少的现象.在400℃以下加热退火,可以使As-O键消失,但Ga-O 键依然存在,后者只有在550℃退火才会去除.经过氧吸附并550℃退火后,(2×2)LEED图样比吸附氧以前更为清晰,氧在表面的初始粘附系数减小,说明表面有序程度提高.从氧吸附并退火后表面As/Ga比的增大,推测是由于这一处理部分地消除了原先表面所存在的Ga岛.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=06DB3C2EBBCB6A52&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=0B39A22176CE99FB&sid=F1177A9DF1349B63&eid=C5F8B8CB20F1B3D8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0