%0 Journal Article
%T 硅中激光辐照引进的点缺陷
%A 卢励吾
%A 许振嘉
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X 利用深能级瞬态谱(DLTS)证实:经染料脉冲激光辐照,红宝石脉冲激光辐照,连续Nd:YAG激光辐照的P型硅样品,存在深中心缺陷,主要是:(E_v+0.14cV)、(Ev+ 0.19eV)和(Ev+ 0.24eV).从这些深中心缺陷的不同淬火和退火行为,可以认为缺陷中心主要是样品在激光退火过程中产生的过饱和空位所形成的,而且可能是与某种大空位团有关.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1BEFD218E54793D5&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=0B39A22176CE99FB&sid=04445C1D2BDA24EE&eid=8575BEDA702C4B7C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0