%0 Journal Article
%T 大面积砷化镓的等离子体氧化及氧化层的AES和XPS分析
%A 张冠生
%A 唐厚舜
%A 黄杜森
%A 余夕同
%A 赵国珍
%A 钮成法
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 用高频辉光放电产生氧等离子体进行GaAs阳极氧化,直径40mm的晶片上可生长出均匀的无定形氧化膜,击穿电场强度±10~6V·cm~(-1),电阻率 10~(15)Q-cm,折射率1.83-1.85(λ=6328(A|°)). 根据AES-XPS的分析,刚生长的阳极氧化层,沿深度可分为三层,第一是缺砷层,靠近表面,厚度～100(A|°);第二层是中心区,组成几乎不随深度变化,Ga/As原子比1.2—1.6,用XPS发现此层的As为未氧化的砷和As_2O_3的砷,第三层是从氧化物到GaAs的过渡区,氧浓度开始下降,此层富砷,而且存在元素砷.在300℃氮氛下退火一小时,可得到过渡区变薄且组成匀一的层.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FEF54C852BBB773AA2D5E937044AC02E&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=0B39A22176CE99FB&sid=7EBE588F611589FC&eid=50BBDFAC8381694B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0