%0 Journal Article
%T 电子束掺杂磷
%A 李秀琼
%A 孙慧玲
%A 王培大
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X 本文提出了一种新的半导体掺杂方法.将掺杂杂质涂敷在待掺杂的半导体表面,利用连续电子束辐照实现了掺杂.其结深可由电子束的参数调节加以控制. 对掺磷的电子束掺杂层进行测量分析,表明,N_P=3.5 × 10~(10)cm~(-3),层内N(x)的变化范围为 10~(12)-10~(20)cm~(-3),μ(x)为 57-130(cm~2/V·scc);低能电子衍射图案呈单晶衍射点和菊池线;沟道背散射测量电子束掺杂层损伤比离子注入的小得多.用这一掺杂法研制成功的平面二极管,性能良好.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D9FB97093621ED4B&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=89F76E117E9BDB76&eid=D767283A3B658885&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0