%0 Journal Article
%T 石墨插层化合物能带计算的一种方法
%A 叶令
%A 张开明
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 本文提出一个比较简单的、自治的方法来处理复杂的石墨插层化合物.借助于计算机重整化群的思想,只考虑插入物的某些分子轨道和石墨的相互作用,从而使整个计算获得简化.将插入物看成一个“赝原子”,然后用自治的EHT方法来计算其能带结构.以FeCl_3和AsF_5插入石墨为例作了计算,得到了相应的费米面,并预计有存在电荷密度波的可能性.所得结果与实验符合较好.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E985304F39E59D3E4BAC641D8E532D8B&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=0B39A22176CE99FB&sid=7555FB9CC973F695&eid=AE09EACBCD1B2A13&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0