%0 Journal Article
%T 应用SEM和V-I特性研究1.3μmInGaAsP/InP DH激光器中掺杂的影响
%A 葛玉如
%A 高淑芬
%A 王莉
%A 汪孝杰
%A 张盛廉
%A 朱龙德
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 本文说明用 SEM和V-I特性法研究 1.3μm InGaAsP/InP DH激光器中掺杂对 PN结位置及 PN结性质的影响.认为用 Zn作P型掺杂剂的 InGaAsP/InP DH 激光器中,由于Zn在InGaAsP和InP晶体中的快扩散及外延生长期间Zn蒸气沾污是PN结偏位的主要原因.施主和受主掺杂的高浓度会产生隧道型 PN 结. 因此在研制激光器的工艺中,控制Zn的沾污及掺杂剂的浓度是非常重要的.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=55F81928F8FA912E8CC7BA9E52D31F58&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=0B39A22176CE99FB&sid=D767283A3B658885&eid=4BB057F167CF3A60&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0