%0 Journal Article
%T 饱和电容法快速确定体产生寿命和表面产生速度
%A 张秀淼
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 本文分析了线性电压扫描下MOS电容的C-t瞬态响应,在此基础上,发展了一种快速确定体产生寿命和表面产生速度的新方法.该方法实验手续和计算均较简单,适于在需要确定很多样品的体产生寿命和表面产生速度场合下应用.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=EEBD24B4762EBC5529A046229AC07401&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=0B39A22176CE99FB&sid=331211A5F5616413&eid=F24949CFDB502409&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=0