%0 Journal Article
%T 硅中硼扩散运动对氧化层错的影响
%A 鲍希茂
%A 嵇福权
%A 黄信凡
%J 半导体学报
%D 1980
%I 
%X 本文讨论了硼在硅中的扩散运动对氧化层错生长和收缩动力学的影响.一方面,硼的扩散运动降低氧化层错的激活能,使层错的生长速度增加;另一方面,却又抑制层错的产生和促使层错消失,使氧化层错的密度减小.在推填子扩散模型中,硼原子的扩散增强了过剩硅间隙原子的扩散,从而促进了层错的生长;而硼扩散引入的失配位错,在生长过程中抑制了某些层错的产生;在退火过程中又促使某些层错断裂和消失,从而降低了层错的密度.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C457A19901CA5B8617F2708D60D32F7F&yid=E56875464B1C0EC1&vid=CA4FD0336C81A37A&iid=E158A972A605785F&sid=5D8C08279A19B0D4&eid=B8F8200D88DDC7D6&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0