%0 Journal Article
%T 非共晶Au/Ge欧姆接触工艺改善扩散法n沟道GaAs MESFET
%A 吴鼎芬
%A H.Daembkes
%A K.Heime
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X 用非共晶组份Au/Ge合金做n型GaAs欧姆接触.系统测定了不同Au,Ge厚度做欧姆接触的比接触电阻值.以150A|°Ge/2000—2500A|°Au的配比,在400℃,10min(实际是3min)下合金化,其比接触电阻值能与文献报道的数据相比较,且表面很平.这有利于栅长≤1μm场效应管的光刻,且能改进器件性能与成品率.用作在高阻衬底上以扩散法制备n沟道场效应管的欧姆接触,改进的器件性能在栅长是1.2μm,栅宽150μm时,跨导8m达29m3.另一个样品在栅长1.3μm,栅宽300μm时,fmax=21GHz,在4GHz下,噪声系数N_F≤1.5dB,相关增益Gα为11dB.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9E1CCECE7B23C87A&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=A4FA325EA800C820&eid=331211A5F5616413&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0