%0 Journal Article
%T 硅、锗单晶中Ⅳ族代位式杂质产生的局域模与红外吸收
%A 叶亦英
%A 陈畅生
%A 张哲华
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X 本文探讨了Ⅳ族代位式杂质在硅、锗单晶中的晶格动力学问题.引用“局域有效电荷模型”得到三个主要模型参量,结合W.Weber的“绝热键电荷模型”所得到的硅、锗单晶的声子态密度数据,分别计算了Ⅳ族代位杂质在硅、锗单晶中所产生的局域模及带内模频率和红外吸收系数.理论计算结果与已有实验结果符合较好,同时予示了一些目前实验尚未测得的结果,进一步证明所提出模型的合理性.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C11EE42950F60BF5&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=C36EC077A8A90308&eid=10F298ED9F164662&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0