%0 Journal Article
%T 反应离子束刻蚀及其应用
%A 金维新
%A 孟宪光
%A 尤大伟
%A 胥兴才
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 本文对反应离子束刻蚀及掩模转换技术作了研究,结果表明反应气体O_2或CF_4压力变化对 Au、Cr、Si、SiO_2、Al等各种材料的刻蚀率影响是不同的,金和铬的刻蚀率之比可达16,金和铝的刻蚀率之比可达8.8.因此,反应离子束刻蚀和掩模转换技术已用来制造高深宽比的、精细的x射线金掩模图形.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=494DDB90BABAA7D5D27D7511DF9859D7&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=C3BF5C58156BEDF0&eid=8C83C265AD318E34&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0