%0 Journal Article
%T 激光退火对硅氧化层错的抑制作用
%A 鲍希茂
%A 嵇福权
%A 黄信凡
%A 陈南斗
%J 半导体学报
%D 1980
%I 
%X <正> 激光退火可以使离子注入半导体的损伤层再结晶,从而获得完整的单晶结构,引起了人们很大的重视.是否可以采用激光退火来控制半导体单晶中的缺陷呢?已报道的结果表明,激光退火可以消除硅单晶中的位错,在某些条件下,由于应力的作用,激光辐照又会引入位错.所以,研究各种缺陷在激光退火中的表现,对了解这些缺陷的退火性质,从而进行有效的控制是重要的.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5BFD02499A7C6FDD1AF5527865FEA949&yid=E56875464B1C0EC1&vid=CA4FD0336C81A37A&iid=38B194292C032A66&sid=4B1FFFA116F7AE3B&eid=82722E2B785EBF0D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0