%0 Journal Article
%T 用AES及椭偏仪研究硅上超薄氧化层
%A 张家慰
%A 赵正平
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X <正> 一、引 言 硅片上厚度在6A|°-50A|°范围内的超薄氧化层的性质已引起人们的广泛注意.因为它不仅在一些半导体器件制造中起关键作用,而且对Si-SiO_2界面性质的研究也有重要意义. 用椭偏仪测量50A|°以下的氧化层厚度,除了仪器的灵敏度外,尚需解决数据处理问题.在此厚度范围内椭偏参数ψ非常接近,因此不能像厚膜那样,依据ψ、△同时确定膜的折射率和厚度.我们的计算结果表明,在10A|°以内及在20A|°-50A|°范围内,由折射率
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2FB2834C25FB57CD5F682CE66F967B1F&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=46CB27789995047D&eid=E203FB1A272C9DD2&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0