%0 Journal Article
%T MOS结构的软X射线辐射损伤
%A 郑有炓
%A 吴凤美
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 本文报道了MOS结构受软X射线辐照的辐射损伤的研究结果.指出,软X射线辐照将引起了 SiO_2层中正电荷及SiO_2-Si界面界面态密度的增加,而且在SiO_2体内形成电子陷阱和中性陷阱.文中还报道了辐射损伤的退火结果.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0F492EBE55E7F5B3B743140549E2B925&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=E514EE58E0E50ECF&eid=1D0FA33DA02ABACD&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0