%0 Journal Article
%T 用MOS电容瞬态电流-电容法直接测定少数载流子的体产生寿命分布和表面产生速度
%A 孙勤生
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 本文提出了一种灵敏方便的MOS电容瞬态电流-电容法,即I-C法,应用它可直接从MOS电容相关的瞬态电流I-t和瞬态电容C-t曲线方便地测定出耗尽层中少数载流子的体产生寿命分布τ_g(x_d)和表面产生速度S_g等参数.文中导出和分析了MOS结构较普遍的瞬态电荷、电流和电容方程,以及界面态密度N_(ss)(E_s)、寿命τ_g(x_d)和(τ|-)_g(x_d)、S_g的计算公式.从τ_g分布的测定结果可见,MOS结构中在约3μm宽的界面层内,从体内向界面τ_g明显下降.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A1B45A9220499F3204DC82CEBE5A904E&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=94E7F66E6C42FA23&eid=318E4CC20AED4940&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0