%0 Journal Article
%T 金属-n型GaAs界面物理特性研究
%A 陈克铭
%A 王良臣
%A 王佑祥
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 利用I-V法和C-V法对由电镀形成的,和经不同温度热处理的(Ni/n-GaAs,Ni-Pd/n-GaAs,Pd/n-GaAs)肖特基结的主要物理参数进行了测量;并应用最小二乘回归法,编排了计算机程序,通过计算获得了比较精确的有关参数;同时还用俄歇电子能谱观察了这些样品中的金属与GaAs各组分的深度分布,及其不同深度下俄歇电子谱.研究结果表明,我们所采用的工艺能获得近理想的肖特基势垒,适当温度的热处理可进一步改善肖特基二极管性能.如果热处理高于这个适当的温度范围,则导致镓和砷的外扩散,二极管的性能也就明显劣化.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CFAAAE80C3D1EADE1DE89C385A54B9AF&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=4AD960B5AD2D111A&eid=1AE5323881A5ECDC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0