%0 Journal Article
%T 平面扩散砷化镓变容管
%A 田牧
%J 半导体学报
%D 1980
%I 
%X 本文根据一个旋转体模型,分析了平面型变容管的P-N结电容参数和串联电阻,得出了一些近似计算公式.成功地制成了砷化镓平面参放变容管和微波电调变容管,前者零偏压截止频率达到了400—600GHz,后者达到了120GHz,电容调谐比T_R≈4.在实际应用中,它们分别在常温参放中获得了50K的噪声温度和在三公分集成固体源调谐中得到了700MHz的电调带宽。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=656BEA0C815BF9DC5A433E5276C87E01&yid=E56875464B1C0EC1&vid=CA4FD0336C81A37A&iid=38B194292C032A66&sid=1D67BE204FBF4800&eid=0DEB7A8A66C33AAD&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0