%0 Journal Article
%T Gunn器件中掺杂梯度引起的静止畴的计算机模拟
%A 王守武
%A 潘国雄
%A 王重云
%J 半导体学报
%D 1980
%I 
%X 本文对Gunn 器件中掺杂梯度引起的静止畴进行计算机模拟.在器件的阳极端的掺杂存在一定的递增梯度的情况下,静止畴可能有两种产生方式:当扩散系数为常数时,畴在阴极形成,朝阳极渡越,最后静止于阳极,即渡越式的静止畴;当扩散系数与电场有某种一定的依赖关系时,畴可能在阳极成核、生长并静止于阳极,即非渡越式的静止畴.两者都导致一静态负阻特性,但电流波形不同. 从计算中归纳出掺杂梯度引起的静止畴的普遍特征:a)在靠近阳极一侧边缘处的扩散速度等于或大于漂移速度的二分之一,b)畴区内电子浓度分布趋于平坦. 计算中发现,当偏置电压高达一定值时,静止畴将转变为渡越畴.分析了这种转变的原因.并得出转变电压与均匀掺杂区的杂质浓度,阳极端的掺杂梯度及阴极端的凹口大小有关.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0F26DF9C3853F2FB0D302499E47B5A56&yid=E56875464B1C0EC1&vid=CA4FD0336C81A37A&iid=38B194292C032A66&sid=02DC3A182A5530DF&eid=D5C73DEF4CF8FAF3&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0