%0 Journal Article
%T 非晶态硅薄膜的制备及其肖特基势垒的研究
%A 陈坤基
%A 何宇亮
%A 杜家方
%J 半导体学报
%D 1980
%I 
%X 利用r.f.辉光放电、由硅烷(SiH_4)分解,在常规的 CVD系统中获得了非晶态硅(a-Si)薄膜.由电子衍射图象及x-光衍射谱证实获得的硅薄膜是无定形结构.由薄膜的红外吸收光谱指出,制得的a-Si 薄膜中含有特征的Si-H键结构. 选用金属铝、铂与未掺杂的a-Si薄膜形成肖特基势垒(M-a-Si),测其I-V特性,展示了接近理想二极管的行为.并求得它们的势垒高度分别为φ_BAl～0.60eV和中φ_BPt～0.78eV.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A813AB5AB717985D833A640990DDB877&yid=E56875464B1C0EC1&vid=CA4FD0336C81A37A&iid=38B194292C032A66&sid=E114CF9BB47B65BE&eid=50BBDFAC8381694B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0