%0 Journal Article
%T 一种获得P~+P结构的方法
%A 徐稼迟
%J 半导体学报
%D 1980
%I 
%X <正> 众所周知,在热氧化时半导体中的杂质分布会有改变,受主杂质硼和镓也不例外.按照文献1] 给出的公式可以计算热氧化后硼和镓在硅中的浓度分布.所用公式是:
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4E4B479190BA4F116C04BE48CFCA3B8B&yid=E56875464B1C0EC1&vid=CA4FD0336C81A37A&iid=0B39A22176CE99FB&sid=31611641D4BB139F&eid=43608FD2E15CD61B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0