%0 Journal Article
%T 0.1μm T-Shaped Gate PHEMT Device<br>0.1μmT型栅PHEMT器件
%A ZHENG Ying-kui
%A LIU Ming
%A HE Zhi-jing
%A WU De-xin
%A <br>郑英奎
%A 刘明
%A 和致经
%A 吴德馨
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法 ,并利用复合胶结构 ,一次电子束曝光制作出具有 T型栅的 PHEMT器件 ,并对 0 .1μm栅长 PHEMT器件的整套工艺及器件性能进行了研究 .形成了一整套具有新特点的PHEMT器件制作工艺 ,获得了良好的器件性能 (ft=93.97GHz;gm=6 90 m S/mm ) .
%K Two Dimension Electron Gas(2DEG)
%K Electron Beam Lithography(EBL)
%K mixed lithography
%K PHEMT
%K T-shaped gate<br>二维电子气
%K 电子束光刻
%K 混合曝光
%K PHEMT
%K T型栅
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D15D4409D184E485&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=E158A972A605785F&sid=DA4893B5F9885621&eid=03436AC72A659ACA&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=6