%0 Journal Article
%T Estimate of Width of Transition Region　of Barrier for Thin Film Insulator MOS Structure Using Fowler-Nordheim Tunneling Current<br>利用FN电流估计薄栅MOS结构栅氧化层的势垒转变区的宽度
%A MAO Ling-feng
%A <br>毛凌锋
%A 谭长华
%A 许铭真
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 通过数值求解整个势垒的薛定谔方程 ,发现 FN电流公式中的 B因子强烈依赖势垒的转变区的宽度 ,而 C因子则弱依赖于势垒的转变区的宽度 .给出了一种利用 WKB近似所得的处理电子隧穿存在转变区势垒的过程 ,并得到一个 FN电流的分析表达式 .它可用来估计薄栅 MOS结构的栅氧化层的势垒转变区的宽度 .在转变区的宽度小于 1nm时 ,它与数值求解薛定谔方程的结果吻合得很好 ,表明该方法可以用来估计势垒转变区的宽度 .实验的结果表明 B因子随温度有较大的变化 ,这个结果验证了该方法的部分预测结果
%K FN current
%K MOS structure
%K gate oxide<br>FN电流
%K MOS结构
%K 栅氧化层
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=324FC7E8E81F62C5&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=0B39A22176CE99FB&sid=CA5852BD1A173B3A&eid=FD7C952458BFB5D8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=11