%0 Journal Article
%T 关于N-Si:Pd中能级E(0.37)和E(0.62)的识别
%A 周洁
%A 阮圣央
%A 郝灴
%A 葛惟锟
%A 吉秀江
%A 李树英
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 在已证实Si中与间隙Pd有关的E_(TA)(0.37)和E_(TB)(0.62)能级为同一双施主中心的(0/ +)态与(+/++)态的基础上,本文通过一系列实验事实进一步揭示该中心是有B杂质参与的络合物.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B67B102102C39035&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=38B194292C032A66&sid=CAA7BAE04CB631A1&eid=4133DDB79B497495&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0