%0 Journal Article
%T 光电化学法测量N型半导体材料扩散长度
%A 邵永富
%A 陈自姚
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 本文提出的拟合法是以光响应作为αW和αL_p的函数,在知道α的情况下,拟合曲线求得L_p值.结合外推法,反过来校正α值,似可以补充外推法的不足和得出较正确的L_p值.我们分别采用拟合和外推两种方法测定扩散长度L_p,已测得的各种半导体材料扩散长度分别为GaP(N_D=3.9 × 10~(19)cm~(-3))L_p= 0.036μm,GaAs(N_D=7 ×10~(17)cm~(-3))L_p=0.8μm,GaAlA_s(N_D=8 ×10~(16)cm~(-3))L_p=0.1μm.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5639764B7BDC6884&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=E158A972A605785F&sid=5319469C819FCFF1&eid=A48DE16C07AAAB06&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0