%0 Journal Article
%T 高压液封直拉InP单晶的低温光致发光研究
%A 吴灵犀
%A 刘巽琅
%A 叶式中
%A 孟庆惠
%A 李永康
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X 研究了高压液封直拉InP 单晶在 4.2 K、1.8K和 4.2至～40K三种温区的光致发光谱.除看到了1.416eV处的近带边峰和1.1-1.2eV处与P空位有关的络合物峰外,还观察到1.377eV(A峰)和1.368eV处(B峰)的两个峰及它们在低能方向的一级、二级、三级声子伴线.初步确定A峰、B峰分别与受主杂质Zn、Cd有关.实验测定了InP中纵向光学声子(Lo)的能量约为43meV,并给出了电子、声子耦合强度s值.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=35BA1522A2C3FEF1&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=0B39A22176CE99FB&sid=7C72DBC13F2D71EC&eid=09E495F616948E78&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0