%0 Journal Article
%T 硅中的深杂质能级
%A 夏建白
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X 从原子的局域赝势出发,利用线性响应理论求得了替代杂质在硅中产生的屏蔽微扰势.用赝原子轨道的集团方法计算了各种杂质原子在硅中产生的深能级.得出,短程势和长程势对深能级的形成都起重要作用.深施主态也有谷轨道分裂的现象,但分裂的能量较大,波函数是反键态性质.深受主态能级位置较深,波函数是悬键态性质.等电子杂质不易产生深能级.计算得到的深能级位置与实验作了比较.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=EB1A47B45E97A339&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=0B39A22176CE99FB&sid=CDEBD1ACE0A4C1C1&eid=6DE26652A1045643&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0