%0 Journal Article
%T GaAs中子嬗变掺杂的初步研究
%A 莫培根
%A 李寿春
%A 李跃鑫
%A 高集金
%A 李石岭
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X 采用未掺杂的GaAs晶体进行了中子嬗变掺杂试验.热退火处理能有效地消除辐照引入的晶格损伤.辐照后的晶体经800℃在氢气气氛下处理2.5小时,掺杂浓度与预期掺杂量接近.采用电化学C-V法测定掺杂均匀性,结果表明掺杂浓度的相对标准偏差小于5％.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B6E1350BF32F2E5C&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=94C357A881DFC066&sid=12AD09BCF4A6E651&eid=2497388423811B81&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0