%0 Journal Article
%T 界面异型掺杂层对肖特基二极管的影响
%A 潘士宏
%A 莫党
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X 本文用耗尽层近似研究了用界面异型掺杂层提高肖特基二极管势垒的方法.给出了势垒高度作为掺杂层参数的函数的公式和相应的数值计算曲线.同时也给出了用C-V测量法得到的这种二极管的势垒的公式和它的物理意义.理论计算结果与用分子束外延法制造的Al-p-n-GaAs二极管的测量结果符合得较好.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0C5F9A1A06519EF5&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=7E8E8B150580E4AB&eid=BB0EA31DB1B01173&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0