%0 Journal Article
%T 用背散射实验技术分析Pt/GaAs接触界面
%A 谢葆珍
%A 刘世杰
%A 张敬平
%A 殷士端
%A 顾诠
%A 戴爱平
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X 用背散射实验技术和俄歇电子能谱研究了250-450℃温度范围内 Pt/GaAs的界面性质.样品为在 n-GaAs上溅射 1000A|°的 Pt层.研究结果表明,在 300℃处理 20分钟后,界面产生固相反应.先是Ga原子向Pt扩散并溶于Pt形成固溶体,然后留下的As在界面处生成PtAs_2. 当退火温度高于400℃时,反应终止,生成GaPt和PtAs_2两平衡相,不再出现新相.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F247E1DBC51068DD&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=35FC3610259C2B32&eid=117F81797AB182FC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0