%0 Journal Article
%T CVD BPSG膜的沉积及其回流机理
%A 曾天亮
%A 江志庚
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 在研制和生产硅栅MOS型(NMOS和CMOS)LSI时,用化学汽相沉积的硼磷硅玻璃(CVD BPSG)膜取代常规的磷硅玻璃(PSG)膜作回流介质层,可将回流温度降低到1000℃以下,达到800—950℃之间,因而可以把高温引发的那些不希望有的杂质扩散和各种缺陷减至最少. 本文着重介绍 CVD BPSG膜的沉积和回流特性,并初步探讨了掺杂 CVD SiO_2膜的回流机理.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=AD1A8700309227C1&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=E158A972A605785F&sid=5F8BAECF36EB55E2&eid=9EF602EA28138BEA&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=0