%0 Journal Article
%T 用真空紫外辐照研究Si-SiO_2界面的氧化层陷阱和界面态
%A 杜瑞瑞
%A 孙恒慧
%A 董国胜
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 以氦灯真空紫外光源研究了辐照下 n(100)硅衬底MOS样品的氧化层陷阱和Si-SiO_2界面态.发现在湿氧和干氧氧化层中都存在密度为10~(12)/cm~2数量级的空穴陷阱,部分氧化层中有密度为10~(11)/cm~2的受主型电子陷阱.湿氧样品在正偏置和零偏置辐照后出现具有确定能级(E_c-E_s(?)0.40eV)的界面态密度宽峰.辐照引进的界面态和空穴被陷阱俘获有关,在1×10~(10)～5 × 10~(11)cm~(-2)·eV~(-1)范围,禁带中央界面态密度正比于被俘获空穴的密度.辐照产生的界面态不能由电子注入加以消除.本文由空穴俘获-弱键破裂模型讨论了实验结果.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4826B31EB8075C20C5B57A48EDA39DF0&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=CB423C9A71560A74&eid=E44E40A2398D4F2A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0