%0 Journal Article
%T Al-SiO_2-Si(n)系统的电子辐照效应
%A 包宗明
%A 张秀淼
%A 杨恒青
%A 张增光
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 本文研究了电子辐照和退火对Al-SiO_2-Si(n)系统的影响.结果表明,经电子辐照加适当退火处理的样品与未经辐照的样品相比,体内非平衡少数载流子复合寿命明显降低,但表层产生寿命却有所增加,而且平带电压、界面态密度和表面产生速度都略有降低.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3A4BA386AD3A1256DE7EF4A423FCB7EF&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=0401E2DB1F51F8DE&eid=68D88C2FCF9C3098&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0