%0 Journal Article
%T 1.3微米InGaAsP/InP双沟道平面掩埋异质结激光器
%A 赵嵩山
%A 王德超
%A 吴友宇
%A 王玉章
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 用过冷法两次液相外延生长制作了波长 1.3微米InGaAsP/InP双沟道平面掩埋异质结激光器(DC-PBHLD).室温最低阈值电流15mA,典型值20mA;最高连续工作温度80℃,输出光功率2mW.4倍阈值电流时,仍可得到稳定的单纵模输出.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D1D79066BE75AB8D&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=38B194292C032A66&sid=90612DF06FCE4D55&eid=377D325742940769&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0