%0 Journal Article
%T 又一种具有特殊界面效应的稀有金属杂质铑
%A 李思渊
%A 张同军
%A 李寿嵩
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X <正> 继钆(Gd)、钯(Pd)之后,我们在实验上又观察到铑(Rh)是另一类具有特殊界面效应的金属杂质.首先,掺Rh样片的高频和准静态C-V曲线均相对于无Rh控制样片发生了明显的沿正压方向的平移.说明所引入的Rh在硅中的扩散很快,在所用条件下已经到达Si/SiO_2界面并与该处的正电性缺陷中心(D)发生了互作用致使界面有效正电荷密度减小.其次,掺Rh后的C-V曲线,无论高频或准静态,均较无Rh控制片略低.这一点与掺Au后的曲线相反,而与掺Gd、Pd的情况类似,没有出现补偿作用引起串联电阻升高,使掺Au片C-V曲线“压扁”那样的现象.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D175E802AF10FE3C2AE21CCDB07CD685&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=B31275AF3241DB2D&sid=6EEC242D0D8BE428&eid=C7B13290323C226E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0