%0 Journal Article
%T 200ps脉冲激发的MBEGaAs-Ga_(1-x)Al_xAs多量子阱异质结的光致发光特性
%A 徐仲英
%A 许继宗
%A 李玉璋
%A 郑宝真
%A 徐俊英
%A 庄蔚华
%A 陈宗圭
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 本文报道微微秒激光脉冲激发下分子束外延(MBE)生长的GaAs-Ca_(0.6)Al_(0.4)As多量子阱异质结构的光荧光特性.同时观察到发生在n=1,2,3电子子能带和相应重空穴子能带之间的激子跃迁.实验数据和理论计算符合较好.在理论计算中,我们考虑了实际势阱的有限深度和GaAs Γ_s~c导带的非抛物线性质.用所述计算方法确定阱宽可达到相当满意的精度.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=889CCCE96E2D4A40&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=38B194292C032A66&sid=160561E9A96393DE&eid=892C6E385D640C1E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0