%0 Journal Article
%T GD a-Si:(Cl,H)薄膜的ESR研究
%A 廖显伯
%A 杨喜荣
%A 刘昌灵
%A 孔光临
%A 侯贵
%A 徐广智
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 报道了对a-Si:(Cl,H)与a-Si:H薄膜的ESR比较研究的结果.在a-Si:(Cl,H)中除g=2.005信号外未发现新的自旋信号,说明Cl原子上没有未配对电子;也没有发现在g=2.005附近有超精细结构,峰宽也无显著变化,说明Cl原子不在悬键附近.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CFAB7CD44160C1842E5595E067D6896B&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=B31275AF3241DB2D&sid=2EAE52BA5B1222A9&eid=240CB58995465C01&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0