%0 Journal Article
%T 液相外延生长的Al_xGa_(1-x)As/GaAs异质结构的俄歇电子能谱
%A 余金中
%A 鞠静丽
%A 石志文
%A 马国荣
%A 刘福源
%A 王维明
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 采用俄歇电子能谱仪(AES)对液相外延生长的GaAs-AlxGa_(1-x)As异质结构进行了研究.结果表明,在异质结界面处,有一过渡层,其组分由异质结的一边向另一边单调地变化,该层的厚度依赖于溶液的饱和度.还对样品表面的沾污情况进行了观测.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C5BED416A38326AA6E709ABEE472441D&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=5D311CA918CA9A03&eid=F3583C8E78166B9E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0