%0 Journal Article
%T 硅中杂质能级的理论计算
%A 陆栋
%A 陆奋
%J 半导体学报
%D 1980
%I 
%X 本文采用EHT方法计算硅原子集团中简单的替代式杂质的电子能级.研究的杂质是中性的铬、钴、镍、铜和锌原子.在所有情形集团包含71个原子.为了约简久期方程必须运用群论知识.得到的杂质能级在能隙中的位置除铜外均同买验值符合良好.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=77E1E68ADA82451EE6081523803822A5&yid=E56875464B1C0EC1&vid=CA4FD0336C81A37A&iid=38B194292C032A66&sid=DABEF202280E7EF1&eid=4609832E4B5C797B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0