%0 Journal Article
%T 高浓度注砷硅的红外瞬态辐照退火
%A 侯东彦
%A 钱佩信
%A 李志坚
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 用高温石墨作为红外辐射源,对高浓度的注砷硅进行了瞬态(13 秒)辐照,达到非常好的退火效果.对于10~(16)cm~(-2)剂量的注砷硅可达到100％的电激活,且损伤恢复比热退火(1100℃,30分)情况要好,引起的注入原子的再分布比常规的高温热退火要小得多.用本方法退火的注砷硅PN结具有良好的电特性。因此,在 VLSI工艺中它是一种很有应用前景的离子注入退火技术.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=156425367E41CE66E21FB965E5B0D569&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=B31275AF3241DB2D&sid=57EA20F731155703&eid=E513158F1BE1471F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0