%0 Journal Article
%T 高阻n型硅的电子辐照
%A 盛篪
%A 陈巧珍
%A 孙恒慧
%A 张增光
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 研究了高阻区熔和直拉单晶(扩铝)的P~+n管经电子辐照后产生的缺陷能级和它们的退火特性.区熔单晶中辐照生成的主要缺陷能级为 E:-0.43eV (双空位)和 E_v+ 0.49eV.在300℃退火后,这些能级的浓度与未退火前基本相同.直拉单晶中辐照生成的缺陷能级为E_c-0.18eV (氧空位对)和 E_v+ 0.49eV.在200℃以上退火后,氧空位明显减小并在300℃消失.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=51D0D309998FE488B0C445E90CE0433B&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=B31275AF3241DB2D&sid=42D7028D961473F8&eid=37F781FD8E744761&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0