%0 Journal Article
%T UHF应用的低噪声GaAs双栅场效应晶体管
%A 王渭源
%A 夏冠群
%A 卢建国
%A 詹千宝
%A 杨新民
%A 王文骐
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 本文报告的 UHF应用的低噪声 GaAs双栅金属肖特基势垒接触场效应晶体管,用 GaAs高阻衬底-n汽相外延材料,金属铝栅 1.5 ×300μm.器件封装用简化的环氧树脂粘结的陶瓷管壳.器件的工作参数为V(DS)～4V,V_(g_1s)～-2V,V_(g_2s)～0V,此时I_(DS)～6mA 1GHz 下NFmin 1.2dB(最佳0.8dB),G_a10dB,G_R45dB.场效应晶体管在UHF电视机和步话机上初步应用,性能良好.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3101A2C1D3A22075855DA8DEBED202FD&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=B31275AF3241DB2D&sid=8C267C8DC97FEEEF&eid=E3C3E274D87A8C16&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0