%0 Journal Article
%T Study of Laser Recrystallization of Silicon on Insulator (SOI) with Antireflective Stripe<br>抗反射条定域再结晶方法在SOI技术中的应用
%A YANG Xiaojun/Institute of Microelectronics
%A Tsinghua University
%A BeijingMA Tengge/Institute of Microelectronics
%A Tsinghua University
%A BeijingZHANG Jisheng/Institute of Microelectronics
%A Tsinghua University
%A BeijingTSIEN Peihsin/Institute of Microelectronics
%A Tsinghua University
%A Beijing
%A <br>杨晓军
%A 马腾阁
%A 张继盛
%A 钱佩信
%J 半导体学报
%D 1990
%I 
%X 对Si_3N_4/SiO_2/Si多层膜系统对Ar~+激光的反射率进行了模型计算,设计了各种结构的抗反射条并且用CW—Ar~+激光对两种结构进行了再结晶实验研究。通过实验,确定了最佳的抗反射膜结构和条宽。用这种结构可以很好地将晶界限制在低反射区。实验结果支持了计算模型和设计。在设定的区域(500μm×300μm)范围内可以得到无晶界的条形薄膜(由光刻决定条的位置)。把MOSFET的栅区制作在膜的无晶介条上,测量得到表面电子和空穴迁移率分别为(μ-)_n=630cm~2/V·S·(μ-)_p=143cm~2/V·S;NMOS与PMOS管单位沟道宽度的沟道漏电流分别为I_n=3.3pA/μm,I_p=0.067pA/μm。
%K Antireflective stripe
%K SOI
%K Active area without grain boundary<br>抗反射束
%K SOI技术
%K 激光束
%K 薄膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F1F5489D27C13DD0&yid=8D39DA2CB9F38FD0&vid=708DD6B15D2464E8&iid=0B39A22176CE99FB&sid=480C51B1F0CE0AB6&eid=7555FB9CC973F695&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=3